AOK50B65H1技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT 650V 50A TO-247
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AOK50B65H1技术参数详情说明：
AOK50B65H1是Alpha & Omega Semiconductor (AOS)公司推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用先进的沟槽场截止技术，优化了载流子注入效率与漂移区电场分布，在关断过程中能实现快速的载流子抽取，从而有效降低了关断损耗。其内部集成了一个高效的反并联快恢复二极管，为感性负载的续流提供了低反向恢复电荷的路径，有助于提升系统整体效率并简化外围电路设计。
在电气特性方面，该器件在15V栅极驱动电压、50A集电极电流条件下，集电极-发射极饱和压降典型值仅为2.4V，这一低导通损耗特性对于降低系统运行时的发热至关重要。其开关性能同样出色，在400V、50A的标准测试条件下，开启延迟与关断延迟时间分别为37ns和141ns，总的开关能量损耗较低，这使得它非常适用于高频开关应用。此外，高达650V的集射极击穿电压提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动或负载突变情况下的可靠性。
该IGBT采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理工艺，其最大结温高达175°C，最大功耗为375W，确保了在严苛环境下的稳定工作能力。其标准输入类型兼容常见的栅极驱动电平，栅极电荷为76nC，有助于设计简洁高效的驱动电路。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理渠道获取产品、样片以及详细的设计资料。
综合其高耐压、大电流、低损耗及快速开关的特性，AOK50B65H1非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源(UPS)、光伏逆变器、电焊机以及各类开关电源的功率转换级。在这些领域中，它能够有效提升能效，减小系统体积与散热需求，是实现紧凑、可靠电力电子系统的关键元器件之一。
- 制造商产品型号：AOK50B65H1
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：IGBT 650V 50A TO-247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：Alpha IGBT
- 零件状态：有源
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：150A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，50A
- 功率-最大值：375W
- 开关能量：1.92mJ（开），850J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：76nC
- 25°C时Td（开/关）值：37ns/141ns
- 测试条件：400V，50A，6 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：261ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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