AOTF288L技术参数

AOTF288L 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用 TO-220-3F 封装、通孔安装的 N 沟道功率 MOSFET。该器件基于成熟的平面 MOSFET 技术构建，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其 80V 的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了宽裕的电压裕量，确保在开关瞬态和负载波动下的可靠运行。该芯片的沟道与终端结构经过优化，在保证高耐压的同时，有效控制了芯片的导通电阻与寄生电容。

在电气性能方面，AOTF288L 展现出卓越的导通特性。在 10V 栅极驱动电压（Vgs）和 20A 漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至 9.2 毫欧。这一低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为 38nC @ 10V，结合 1871pF @ 40V 的输入电容（Ciss），意味着该器件具有快速的开关速度和较低的栅极驱动损耗，有利于在高频开关电源应用中降低开关损耗并简化驱动电路设计。

该器件的额定电流参数区分了不同散热条件下的性能。在环境温度（Ta）25°C 下，连续漏极电流（Id）为 10.5A；而在管壳温度（Tc）25°C 下，该值可高达 43A，这突显了其强大的电流处理能力和对有效散热设计的依赖性。其最大栅源电压（Vgs）为 ±20V，提供了稳健的驱动容限。阈值电压（Vgs(th)）最大值为 3.4V @ 250A，确保了与标准逻辑电平或模拟驱动电路的兼容性。其工作结温（Tj）范围宽达 -55°C 至 175°C，结合 35.5W（Tc）的最大功率耗散能力，使其能够适应严苛的环境和负载条件。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理 获取完整的规格书、样品及设计支持。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及 TO-220 封装带来的便利散热能力，AOTF288L 非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制、DC-DC 转换器以及不间断电源（UPS）系统中的功率开关模块。其稳健的性能使其成为工业控制、通信基础设施和消费类电子中功率级设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOTF288L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 10.5A/43A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.5A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1871pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），35.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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