AOK5N100L技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)推出的AOK5N100L是一款采用TO-247封装的N沟道功率MOSFET，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构基于先进的平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和工艺制程，在确保高阻断电压能力的同时，有效平衡了导通电阻与栅极电荷等关键参数，为系统设计提供了坚实的硬件基础。

该器件具备1000V的高漏源击穿电压(Vdss)，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰，显著提升了系统的可靠性与鲁棒性。在导通特性方面，在10V驱动电压(Vgs)下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为4.2欧姆（测试条件：Id=2.5A），这有助于降低器件在导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极电荷(Qg)最大值仅为23nC，结合1150pF的输入电容(Ciss)，意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于实现更高频率的开关操作，从而减小磁性元件的体积。

在接口与参数层面，AOK5N100L采用标准的三引脚TO-247通孔封装，便于安装和散热管理。其结温(Tj)工作范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。在壳温(Tc)为25°C时，其连续漏极电流(Id)额定值为4A，最大功耗可达195W，展现了强大的功率处理能力。栅源电压(Vgs)耐受范围为±30V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取产品与相关服务。

基于上述特性，AOK5N100L非常适用于需要高电压开关和高效能表现的场合。典型应用包括离线式开关电源(SMPS)的PFC（功率因数校正）电路和主功率开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源(UPS)的功率转换模块，以及高压照明镇流器等。在这些应用中，其高耐压、低导通损耗和良好的开关特性有助于构建更紧凑、更高效、更可靠的电力电子系统。

• 制造商产品型号：AOK5N100L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：1000V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：195W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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