AON6782技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN（5x6）
技术参数：MOSFET N-CH 30V 24A/85A 8DFN
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AON6782技术参数详情说明：

AON6782是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进SRFET技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，集成了高性能的MOSFET与一个体肖特基二极管，为高密度、高效率的电源转换应用提供了优化的解决方案。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，通过精心的单元设计和工艺优化，在导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数之间取得了出色的平衡。

该器件在30V的漏源电压（Vdss）规格下，展现出卓越的电流处理能力，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为24A，而在管壳温度下可达85A。其最突出的特性之一是极低的导通电阻（Rds(On)），在10V驱动电压（Vgs）和20A电流条件下，最大值仅为2.4毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在51nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动设计，使得开关频率可以进一步提升。

在接口与电气参数方面，AON6782具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），确保了其在严苛环境下的可靠性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，提供了稳定的驱动安全裕量。阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容范围。其功率耗散能力在管壳温度（Tc）下高达83W，配合高效的散热设计，可处理可观的功率。对于需要可靠采购渠道的客户，可以通过官方指定的AOS一级代理获取原厂技术支持与供货保障。

得益于其低Rds(On)、快速开关特性和集成体二极管，AON6782非常适合应用于对效率和功率密度要求极高的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电机驱动控制、锂离子电池保护电路以及各类负载开关。其紧凑的DFN封装尤其契合空间受限的现代电子产品设计，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类替代品的选择提供了重要参考。