AON6782技术参数

AON6782是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进SRFET技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，集成了高性能的MOSFET与一个体肖特基二极管，为高密度、高效率的电源转换应用提供了优化的解决方案。其核心架构基于成熟的平面MOSFET工艺，通过精心的单元设计和工艺优化，在导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数之间取得了出色的平衡。

该器件在30V的漏源电压（Vdss）规格下，展现出卓越的电流处理能力，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为24A，而在管壳温度下可达85A。其最突出的特性之一是极低的导通电阻（Rds(On)），在10V驱动电压（Vgs）和20A电流条件下，最大值仅为2.4毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在51nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动设计，使得开关频率可以进一步提升。

在接口与电气参数方面，AON6782具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温），确保了其在严苛环境下的可靠性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，提供了稳定的驱动安全裕量。阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容范围。其功率耗散能力在管壳温度（Tc）下高达83W，配合高效的散热设计，可处理可观的功率。对于需要可靠采购渠道的客户，可以通过官方指定的AOS一级代理获取原厂技术支持与供货保障。

得益于其低Rds(On)、快速开关特性和集成体二极管，AON6782非常适合应用于对效率和功率密度要求极高的场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、电机驱动控制、锂离子电池保护电路以及各类负载开关。其紧凑的DFN封装尤其契合空间受限的现代电子产品设计，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类替代品的选择提供了重要参考。

• 型号:AON6782
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 24A/85A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6780 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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