AOK8N80技术参数

AOK8N80是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准TO-247封装内，为高压开关应用提供了一个可靠且高效的解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在平衡高耐压与低导通电阻之间的矛盾，通过精心的版图布局和工艺控制，实现了在800V高阻断电压下的出色性能。

该器件具备一系列关键特性以满足严苛的工业应用需求。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，能够有效应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、4A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.63欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，最大栅极电荷（Qg）为32nC，结合1650pF的输入电容（Ciss），意味着其开关驱动需求相对适中，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在接口与参数方面，AOK8N80设计有通孔安装的TO-247封装，具有良好的机械强度和散热能力。其在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）额定值为7.4A，最大允许功耗高达245W（Tc），配合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应各种环境温度下的持续工作。栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理进行采购与咨询。

基于其高压、中电流和良好的开关特性，AOK8N80非常适用于需要高可靠性和高效率的功率转换场景。典型的应用领域包括离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关、工业电机驱动和变频器的逆变桥臂，以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器中的DC-AC或DC-DC功率级。在这些应用中，它能够有效处理高电压，并以较低的导通和开关损耗实现电能的高效转换，是工程师构建稳健功率系统的优选器件之一。

• 制造商产品型号：AOK8N80
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.63 欧姆 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1650pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：245W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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