AOW15S60技术参数

AOW15S60是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在TO-262通孔封装内实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计旨在降低开关损耗和传导损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该器件具备多项关键电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压母线环境，提供充裕的设计裕量。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压、7.5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至290毫欧，这直接转化为更低的通态损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为15.6nC，结合717pF的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量小，有利于实现高速开关，减少开关过渡过程中的损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与可靠性参数上，AOW15S60的栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了驱动级的抗干扰能力。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。采用TO-262（I-PAK）封装，在提供良好散热能力（最大功耗208W，基于壳温）的同时，也兼顾了PCB板上的机械强度和通孔安装的工艺便利性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗和获得专业服务的有效途径。

综合其高耐压、较低的Rds(on)与Qg以及坚固的封装，AOW15S60非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及电焊机等设备中的功率开关部分。其性能表现使其成为中高功率离线式转换和电机控制解决方案中一个值得考虑的功率开关选择。

• 型号:AOW15S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:717 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOW15S60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。