AOL1202技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：UltraSO-8
技术参数：MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8
专注销售AOS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

AOL1202技术参数详情说明：

AOL1202 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进工艺制造的 N 沟道功率 MOSFET 器件。该芯片采用行业标准的 UltraSO-8 封装，实现了优异的功率密度与热性能平衡。其核心架构基于成熟的平面 MOSFET 技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内实现了极低的导通电阻和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为 30V，适用于常见的 12V 及 24V 总线系统。在导通特性方面，在 10V 栅极驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至 4.2 毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为 33nC @ 10V，结合 2200pF 的输入电容（Ciss），意味着快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关频率并简化栅极驱动电路设计。

在接口与参数方面，AOL1202 展现了强大的电流处理能力和宽泛的工作温度范围。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下为 16A，在管壳温度（Tc）下可达 54A，峰值电流能力突出。器件支持高达 ±20V 的栅源电压，提供了稳健的驱动容限。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.3V，确保了与低电压逻辑电路的兼容性。功率耗散能力在管壳温度（Tc）下高达 58W，结合 UltraSO-8 封装优异的散热特性，使其能够承受较高的功率负载。工作结温（Tj）范围为 -55°C 至 175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取更详细的产品信息与供应链支持。

凭借其高性能指标，AOL1202 非常适合于对效率和空间有严格要求的应用场景。它常被用于服务器、通信设备的同步整流和负载点（POL）转换器中，作为主开关或同步整流管。此外，在电动工具、无人机电池管理系统（BMS）的充放电控制，以及汽车辅助电源、电机驱动等需要高效率、高可靠性的直流-直流转换和功率开关领域，该器件也能发挥重要作用。其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程。