AOTF298L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款经典功率器件，AOTF298L是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的单晶体管。其核心架构基于成熟的平面硅工艺，在TO-220-3F封装内集成了高性能的功率开关单元。该器件设计用于在高达100V的漏源电压（Vdss）下稳定工作，其沟道优化旨在平衡导通电阻与开关速度，为高效率的功率转换提供了硬件基础。

在电气性能方面，AOTF298L展现出优异的导通特性。在10V驱动电压（Vgs）及20A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至14.5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为27nC @ 10V，结合1670pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频开关应用。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）也确保了在苛刻环境下的可靠性。

该器件的接口与参数设计兼顾了通用性与鲁棒性。它采用标准的通孔TO-220-3F封装，便于安装和散热。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为9A，而在管壳温度（Tc）条件下可达33A，配合最大33W（Tc）的功率耗散能力，赋予了其较强的电流处理与散热潜力。栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了安全的驱动裕量。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取详细的技术支持与库存信息。

基于其100V的耐压、低导通电阻和良好的开关特性，AOTF298L非常适合应用于中等功率的DC-DC转换器、电机驱动控制、电源逆变系统以及各类开关电源的功率开关环节。尽管该型号目前已处于停产状态，但其在工业控制、消费类电子电源管理等领域的成熟应用方案，仍为许多现有产品的维护与特定设计提供了可靠的元器件选择。

• 型号:AOTF298L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9A/33A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1670 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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