

AOL1242技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 14A/69A ULTRASO8
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AOL1242技术参数详情说明:
AOL1242是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术的N沟道功率器件。该芯片采用成熟的平面硅工艺制造,其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。其结构优化了单元密度与沟道迁移率,使得在紧凑的封装尺寸下,能够有效降低传导损耗,提升整体能效。芯片内部集成了优化的体二极管,有助于在开关应用中管理反向恢复能量,提升系统可靠性。
该器件的一个显著特点是其卓越的导通性能。在10V驱动电压下,其导通电阻(Rds(On))典型值极低,仅为5.2毫欧(@20A),这直接转化为更低的通态压降和发热量。其栅极电荷(Qg)最大值控制在23nC(@10V),结合适中的输入电容(Ciss),意味着它具备快速的开关特性,能够有效降低开关损耗,适用于高频开关应用。其宽泛的栅源电压(Vgs)工作范围(±20V)提供了设计上的灵活性,而2.3V(最大值)的低阈值电压(Vgs(th))则有利于在低电压逻辑驱动下实现高效导通。
在电气参数方面,AOL1242的漏源击穿电压(Vdss)为40V,为其在常见的12V至24V总线系统中提供了充足的安全裕量。其电流处理能力突出,在壳温(Tc)条件下连续漏极电流(Id)高达69A,在环境温度(Ta)下为14A,展现了强大的峰值功率承载潜力。器件采用表面贴装型UltraSO-8封装,该封装具有优异的热性能和功率密度,其最大功率耗散在壳温条件下可达68W,结合-55°C至175°C的宽结温(TJ)工作范围,确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目,建议通过官方授权的AOS一级代理进行采购,以保障原装正品和供货稳定性。
凭借其综合性能,该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。其主要应用场景包括DC-DC转换器(如同步整流、负载点降压转换器)、电机驱动控制(如电动工具、风扇驱动)、以及各类电源管理模块和电池保护电路。其快速开关能力使其在需要高频率操作的开关电源中表现出色,而低导通电阻特性则在需要处理大电流的线性或开关应用中有效减少能量损失,提升系统整体效率。
- 制造商产品型号:AOL1242
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 14A/69A ULTRASO8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Ta),69A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):23nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1620pF @ 20V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),68W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:UltraSO-8
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOL1242现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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