AOL1712技术参数

AOL1712是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的SRFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的沟槽栅极结构，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的最佳平衡。其核心设计理念是通过精密的单元布局和先进的制造工艺，在紧凑的封装内最大限度地降低功率损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为4.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的电流处理能力。其栅极电荷（Qg）最大值仅为95nC，结合适中的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并允许更高频率的开关操作。器件集成了体肖特基二极管，为感性负载的续流提供了低正向压降的路径，增强了系统的可靠性。其驱动电压范围（Vgs）覆盖4.5V至10V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。

在电气参数方面，AOL1712的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其电流承载能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为16A，而在管壳温度（Tc）条件下可达65A，展现了优异的散热潜力。其最大功耗在管壳温度条件下高达100W，结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境要求。该器件采用表面贴装型的UltraSO-8封装，这是一种具有高热性能的紧凑型封装，有助于实现高功率密度设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户，建议通过官方授权的AOS一级代理进行采购。

凭借其高性能指标，AOL1712非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换器、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类需要高效功率开关的便携式电子设备。其快速开关和低损耗特性使其成为提升现代电源系统能效和功率密度的理想选择。

• 型号:AOL1712
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:UltraSO-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 16A/65A ULTRASO8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5120 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:UltraSO-8
• 封装/外壳:3-PowerSMD，引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOL1712现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。