

AOL1432A技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
- 技术参数:MOSFET N-CH 25V 12A/44A ULTRASO8
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AOL1432A技术参数详情说明:
AOL1432A是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)公司基于其先进的SDMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的UltraSO-8封装,在25V的漏源电压(Vdss)规格下,实现了优异的导通电阻与电流处理能力平衡。其核心设计旨在通过优化的单元结构和沟槽工艺,显著降低传导损耗和开关损耗,这对于提升系统整体效率至关重要。
该器件在25°C环境温度(Ta)下可提供12A的连续漏极电流,而在管壳温度(Tc)条件下,其电流处理能力可高达44A,展现了强大的峰值负载承载潜力。其关键特性在于极低的导通电阻,在10V驱动电压(Vgs)和30A电流条件下,Rds(on)最大值仅为7.5毫欧,这直接转化为更低的导通压降和功率耗散。同时,其栅极电荷(Qg)最大值控制在26nC(@10V),结合1450pF的输入电容(Ciss),意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,有利于高频应用。
在接口与参数方面,AOL1432A具备宽泛的栅极驱动电压范围,标准驱动电压为4.5V至10V,最大栅源电压(Vgs)可承受±20V,提供了稳健的驱动兼容性和可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。功率耗散能力在环境温度下为2.1W,在管壳温度下则高达30W,优异的散热设计使其能应对更高的功率密度需求。如需获取官方技术支持和供货信息,可联系AOS总代理。
凭借其高性能指标,该MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。其主要应用方向包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流电路、负载点(POL)转换器,以及各类电机驱动、电池保护模块中的功率开关。其表面贴装型UltraSO-8封装也使其能无缝集成到高密度PCB布局中,满足现代电子设备小型化、高效化的设计趋势。尽管该产品目前已处于停产状态,但其技术特性和设计思路仍代表了其在所属产品周期内的高性能解决方案定位。
- 制造商产品型号:AOL1432A
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 12A/44A ULTRASO8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:SDMOS
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):25V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Ta),44A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7.5 毫欧 @ 30A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):26nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1450pF @ 12.5V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),30W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:UltraSO-8
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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