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AOL1700技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 17A/85A ULTRASO8
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AOL1700技术参数详情说明:

AOL1700是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)基于其SRFET技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅MOSFET工艺,在紧凑的UltraSO-8封装内实现了优异的导通电阻与开关性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗,这对于提升系统整体效率至关重要。内部集成的肖特基体二极管进一步增强了其在同步整流等应用中的反向恢复特性,减少了因二极管反向恢复引起的损耗和电压尖峰。

该器件具备多项突出的电气特性。其导通电阻(Rds(On))在Vgs=10V, Id=20A的条件下典型值仅为4.2毫欧,极低的导通阻抗确保了在承载大电流时产生最小的传导压降和热量。栅极总电荷(Qg)最大值仅为74nC,结合适中的输入电容,意味着驱动电路可以更快速、更高效地完成开关动作,从而降低开关损耗并允许更高频率的开关操作。其宽泛的栅极驱动电压范围(4.5V至20V)为设计提供了灵活性,既能兼容标准逻辑电平驱动,也能适应更高驱动电压以获得更低的导通电阻。

在接口与参数方面,AOL1700的漏源击穿电压(Vdss)为30V,连续漏极电流在环境温度(Ta)25°C下为17A,在管壳温度(Tc)25°C下可达85A,展现了强大的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的UltraSO-8封装优化了散热和PCB布局空间,最大结壳热阻低,有助于将芯片产生的热量高效导出。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过官方AOS授权代理渠道获取产品与相关服务。

凭借其高性能指标,该芯片非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括服务器、通信设备的同步整流DC-DC转换器、电机驱动控制电路以及各类负载开关。在这些场景中,其低导通电阻和高开关速度的优势得以充分发挥,有助于构建更高效、更紧凑的电源管理系统。尽管其零件状态标注为停产,但其设计理念和性能参数在同类产品中仍具有重要的参考价值。

  • 制造商产品型号:AOL1700
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 17A/85A ULTRASO8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SRFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):17A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):74nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4512pF @ 15V
  • FET功能:肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:UltraSO-8
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOL1700现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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