AON1605_001技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：3-DFN（1.0 x 0.60）
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
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AON1605_001技术参数详情说明：
AON1605_001是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的3-DFN（1.0 x 0.60）表面贴装封装，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，从而在开关应用中有效降低传导损耗和开关损耗，提升整体能效。
该MOSFET具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和700mA的连续漏极电流（Id）能力，为低压应用提供了可靠的电压和电流裕量。其关键特性在于优异的开关性能，在4.5V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至710毫欧（@400mA），这有助于减少导通状态下的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为750nC（@4.5V），结合50pF（@10V）的输入电容（Ciss），确保了快速开关响应和较低的驱动损耗，非常适合高频开关场景。
在接口与参数方面，AON1605_001的栅源驱动电压（Vgs）范围为±8V，阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.1V，这使其能够与低至1.5V的逻辑电平信号良好兼容，简化了驱动电路设计。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。器件最大功率耗散为900mW，用户可通过AOS代理获取详细的热设计指导。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，建议在新设计中评估其替代产品。
凭借其小尺寸、低导通电阻和快速开关特性，AON1605_001主要面向空间受限且对效率有要求的便携式电子设备。其典型应用场景包括电池供电系统中的负载开关、电源路径管理、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及需要P沟道MOSFET进行信号电平转换或电源隔离的各类模块。
- 制造商产品型号：AON1605_001
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：700mA（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：710 毫欧 @ 400mA，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：750nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：900mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：3-DFN（1.0 x 0.60）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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