AON2880技术参数

AON2880 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的双 N 沟道 MOSFET 阵列，采用先进的共漏极架构。该器件集成了两个逻辑电平门控的 N 沟道 MOSFET 于一个紧凑的 8-WFDFN 封装内，其共漏极连接方式为设计提供了更高的集成度与布局灵活性，特别适用于需要同步控制或并联以降低导通电阻的应用场景。

在电气性能方面，该器件具备20V 的漏源击穿电压（Vdss）与7A 的连续漏极电流（Id）能力。其核心优势在于极低的导通损耗，在 4.5V 栅极驱动电压、5A 电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至 21.5 毫欧。配合最大仅 1V 的低栅极阈值电压（Vgs(th)），使其能够被常见的 3.3V 或 5V 微控制器逻辑电平直接且高效地驱动，简化了前级驱动电路设计。此外，其开关性能也经过优化，在 4.5V Vgs 下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为 9nC，结合 10V Vds 下最大 600pF 的输入电容（Ciss），共同确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。

该芯片采用表面贴装型封装，具有优异的散热性能和占板面积小的特点。其工作结温范围宽达-55°C 至 150°C，能够适应严苛的工业环境要求。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方授权的AOS一级代理进行采购，以确保获得正品器件与全面的技术支持。最大功耗为 2W，设计时需结合具体应用的热条件进行充分的散热考量。

基于其高性能参数，AON2880 非常适合应用于对效率和空间有严格要求的 DC-DC 同步整流转换器、电机驱动 H 桥电路中的低侧开关、负载开关以及电池保护电路等场景。其双管共漏的集成形式，为构建紧凑型电源管理解决方案和功率驱动模块提供了高性价比的半导体选择。

• 制造商产品型号：AON2880
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 20V 7A DFN2X2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N 沟道（双）共漏
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21.5 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：600pF @ 10V
• 功率-最大值：2W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-WFDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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