AOY516技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaMOS产品系列中的一员，AOY516是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，设计用于高效处理中等电压与高电流应用。其核心架构基于先进的MOSFET（金属氧化物）技术，在TO-251B（IPAK）通孔封装内实现了优异的电气性能与热管理能力。该器件在25°C壳温条件下可支持高达46A的连续漏极电流，同时其漏源击穿电压为30V，为设计提供了可靠的电压裕量。

该器件的关键性能体现在其极低的导通损耗与出色的开关特性上。在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至5毫欧（在20A电流条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压最大值为2.6V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其既能与标准逻辑电平良好兼容，又能有效避免误触发。此外，栅极电荷最大值仅为33nC，结合1333pF的输入电容，共同确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。

在接口与参数方面，AOY516提供了坚固耐用的电气规格。其栅源电压可承受±20V的最大值，增强了抗栅极过压冲击的能力。器件的热性能同样出色，在环境温度下最大功耗为2.5W，而当外壳温度得到良好控制时，最大功耗可达50W，这得益于TO-251B封装良好的热传导路径。其宽广的结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要获取此型号技术细节或库存支持的工程师，可以通过官方授权的AOS代理商进行咨询。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的设计和参数使其在特定的存量或替换设计中仍具参考价值。其典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类需要高效功率开关的电源管理模块。其平衡的电压、电流与导通电阻特性，使其成为早期设计中追求高性价比与可靠性的一个代表性选择。

• 型号:AOY516
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251B
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 46A TO251B
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1333 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251B
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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