AON4807技术参数

AON4807是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)设计制造的双P沟道功率MOSFET阵列，采用紧凑的8-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个独立的逻辑电平门控P沟道MOSFET，其核心架构基于AOS先进的沟槽MOSFET技术，旨在提供低导通电阻与快速开关特性的平衡。这种双通道集成设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了需要对称或互补P沟道开关的电路布局，特别适用于空间受限的便携式设备。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其最大漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)可达4A，能够满足多种中低功率开关应用的需求。作为逻辑电平器件，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为2.3V，确保了其能够被3.3V或5V的现代微控制器和逻辑电路直接、高效地驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。其在10V Vgs、4A Id条件下的导通电阻(Rds(on))典型值低至68毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。

在动态性能方面，AON4807的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数经过优化。最大栅极电荷仅为10nC (at 10V)，最大输入电容为290pF (at 15V)，这些低电荷特性使得开关速度更快，开关损耗显著降低，尤其适用于高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了器件在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品的详细信息、技术资料和采购支持。

基于上述接口与参数特性，AON4807非常适合于一系列对空间和效率有要求的应用场景。它常被用于负载开关、电源管理单元中的功率路径选择、电池保护电路、电机驱动中的H桥或半桥结构（作为高侧开关），以及便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC转换器。其双通道设计使其在需要两个同步或独立控制的P沟道开关的场合中表现出色，为设计工程师提供了一个高集成度、高性能的解决方案。

• 型号:AON4807
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.9W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（3x2）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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