

AOL1428A技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 12.4A ULTRASO8
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AOL1428A技术参数详情说明:
AOL1428A是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计生产的N沟道功率MOSFET,采用先进的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术。该器件采用紧凑的UltraSO-8表面贴装封装,专为高功率密度和高效能应用而优化。其核心架构基于AOS成熟的工艺平台,旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡,从而在30V的中等电压等级下提供卓越的开关性能和功率处理能力。
该器件具备多项关键电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V,适用于常见的12V或24V总线系统。在导通特性方面,在10V驱动电压(Vgs)下,其导通电阻(Rds(On))典型值低至8毫欧(@12.4A),这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极驱动要求适中,最大栅极阈值电压(Vgs(th))为2.6V,标准逻辑电平即可有效驱动,同时最大栅极电荷(Qg)仅为22nC @ 10V,有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。
在接口与参数方面,AOL1428A定义了明确的电气边界。其连续漏极电流在环境温度(Ta)下额定为12.4A,在管壳温度(Tc)下可达49A,展现了强大的电流处理潜力。器件支持高达±20V的栅源电压,提供了良好的驱动鲁棒性。其最大输入电容(Ciss)为1300pF @ 15V,结合低栅极电荷,共同确保了快速的开关瞬态响应。该器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C,并具有2.1W(Ta)和93W(Tc)的功率耗散能力,使其能够适应严苛的热环境。用户可通过AOS授权代理获取完整的技术支持和供应链服务。
凭借其优异的性能组合,AOL1428A非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率开关、笔记本电脑的电源管理、电机驱动控制模块以及各类便携式电子设备中的负载开关。其UltraSO-8封装在提供出色散热性能的同时,最大限度地节省了PCB板面积,是追求高功率密度设计的理想选择。
- 制造商产品型号:AOL1428A
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.4A ULTRASO8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):12.4A(Ta),49A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 12.4A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1300pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),93W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:UltraSO-8
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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