AON6220技术参数

AON6220是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，在硅片层面实现了更低的单位面积导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡。这种核心架构设计使其在提供高达100V漏源电压（Vdss）和48A连续漏极电流（Id）承载能力的同时，显著降低了开关损耗和导通损耗，为高效率功率转换应用奠定了坚实基础。

在功能特性上，该MOSFET展现出卓越的电气性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）、20A漏极电流条件下典型值仅为6.2毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体能效并简化热管理设计。同时，其栅极驱动特性经过优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，确保了与主流低压控制器的良好兼容性，而最大栅极电荷（Qg）控制在95nC（@10V），这直接降低了驱动电路的负担和开关过程中的能量损失，有利于实现更高频率的开关操作。

该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装，具有良好的散热性能，其结壳热阻（RθJC）较低，支持高达113.5W（Tc）的功率耗散。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品与设计服务。这些接口与参数特性使其成为对功率密度和效率有苛刻要求的现代电源方案的理想选择。

基于其高耐压、大电流、低损耗的特性组合，AON6220非常适合应用于各类中高功率的DC-DC转换器、电机驱动控制器以及逆变器系统中。例如，在服务器电源、通信基础设施的中间总线转换、电动工具、无人机电调以及新能源车的辅助电源等场景中，它能够有效承担主功率开关或同步整流的关键角色，帮助设计工程师实现系统的小型化、高效化和高可靠性目标。

• 制造商产品型号：AON6220
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：95nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4525pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：113.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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