AO4821技术参数

AO4821是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用8-SOIC封装的双P沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门控P沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术，旨在为低压、高电流开关应用提供紧凑且高效的解决方案。其架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，使得在有限的芯片面积内实现较低的Rds(on)成为可能，从而有效降低导通损耗并提升整体能效。

该MOSFET的关键特性在于其出色的导通性能与开关特性。在Vgs为4.5V、Id为9A的条件下，其导通电阻典型值仅为19毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。作为逻辑电平器件，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为850mV，确保了其能够与3.3V或5V的现代微控制器及数字逻辑电路直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。同时，其栅极电荷Qg最大值控制在23nC，结合2100pF的输入电容，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗，适用于需要较高频率操作的场合。

在电气参数方面，AO4821的连续漏极电流额定值为9A，漏源击穿电压为12V，适用于12V及以下的低压总线系统。其最大功耗为2W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的8-SOIC封装形式，宽度为3.90mm，为空间受限的PCB设计提供了高集成度的选择。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

凭借其双通道、低导通电阻和逻辑电平驱动的特点，AO4821非常适合应用于需要高效电源管理和负载开关的领域。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和便携式设备中的电池保护电路、电源路径管理以及DC-DC转换器的同步整流或负载开关。它也常见于低压电机驱动、热插拔保护电路以及需要多路独立控制的低压大电流开关系统中，为设计工程师提供了一个性能可靠、节省空间的功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AO4821
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 P 沟道（双）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：12V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 9A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2100pF @ 6V
• 功率-最大值：2W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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