AON6236技术参数

AON6236 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用紧凑的 8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率和高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，确保了在开关应用中具备出色的电气性能和热管理能力。

该 MOSFET 的显著特性在于其极低的导通电阻，在 10V 栅极驱动电压和 20A 漏极电流条件下，Rds(On) 典型值仅为 7 毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷 (Qg) 最大值控制在 26nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，从而支持更小型化的磁性元件使用。

在电气参数方面，AON6236 具备 40V 的漏源击穿电压 (Vdss)，为其在常见的 12V 至 24V 总线应用中提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流在环境温度 (Ta) 下额定为 19A，在管壳温度 (Tc) 下可达 30A，展现出强大的电流处理能力。器件支持宽范围栅极驱动电压，标准驱动电平为 4.5V 至 10V，且栅源电压 (Vgs) 可承受 ±20V，增强了应用的鲁棒性。其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.4V，有助于防止因噪声引起的误开启，确保系统可靠性。对于需要技术支持和样品申请的客户，可以通过官方授权的 AOS代理 渠道获取相关服务。

得益于优异的性能组合，该器件非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的领域。其主要应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理单元。其 39W (Tc) 的最大功率耗散能力和 -55°C 至 150°C 的宽结温工作范围，也使其能够适应工业、通信和消费电子等多种环境条件下的稳定运行。

• 制造商产品型号：AON6236
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1225pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），39W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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