AON6368技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率器件，AON6368是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其内部架构优化了电荷平衡与电流通路，使得在紧凑的封装尺寸下，能够高效处理显著的功率等级，为高密度电源设计提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气参数。它具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为常见的12V或24V总线应用提供了充足的裕量。其导通电阻（Rds(On)）表现优异，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为6.1毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为13nC（@10V），结合820pF（@15V）的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与可靠性方面，AON6368采用标准的表面贴装型8-DFN（5x6）封装，具有良好的散热性能和较小的占板面积。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的Vgs下即可实现完全导通，兼容多种逻辑电平。器件的电流处理能力强劲，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）达25A，在管壳温度（Tc）条件下更是高达52A，最大功耗为27W（Tc）。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取产品与相关服务。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和稳健的封装，AON6368非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动和控制系统、锂离子电池保护电路以及各类负载开关和电源管理模块。在这些应用中，它能够有效降低系统温升，提升整体能效和可靠性。

• 制造商产品型号：AON6368
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 25A/52A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：最後
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Ta），52A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：820pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），27W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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