AON6242技术参数

AON6242是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装型封装中。其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡，通过优化的单元设计和低电阻金属化工艺，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关电源和电机控制等应用中减少损耗并提升系统整体能效。

该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量，适用于常见的12V、24V及48V总线系统。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为18.5A（Ta），而在管壳温度（Tc）条件下可达85A，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为3.6毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的功率转换效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V时为72nC，结合2.5V（@250A）的典型栅极阈值电压，确保了快速开关特性和简洁的驱动电路设计，有助于降低开关损耗并提升频率响应。

在接口与参数方面，AON6242的驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了设计的灵活性和鲁棒性。其输入电容（Ciss）在30V Vds下最大值为6370pF，需要与合适的栅极驱动器配合以实现最优的动态性能。器件的热性能同样出色，最大功率耗散在管壳温度（Tc）下可达83W，结合其工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

基于其优异的电气与热性能，AON6242非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：DC-DC转换器（尤其是同步整流和负载点转换）、电机驱动与控制系统（如电动工具、无人机、风扇）、电池保护电路以及各类工业电源。在这些应用中，其低Rds(On)和高电流能力有助于缩小方案尺寸、降低温升，是实现高性能、高可靠性电源与功率管理解决方案的理想选择。

• 型号:AON6242
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 18.5A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6370 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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