AON6248技术参数

AON6248是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，并封装在紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装内。其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，内部架构优化了单元密度和沟道迁移率，从而在给定的芯片面积下显著降低了Rds(On)。该器件采用标准的N沟道增强型模式设计，栅极结构能够承受高达±20V的电压，提供了良好的栅极可靠性裕度。

在电气性能方面，该器件在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至11.5毫欧（在20A条件下测量），这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为28nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关速度快，驱动损耗低，特别适合高频开关应用。器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压余量。其电流承载能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流高达53A，即便在环境温度（Ta）下也支持17.5A，配合69.5W（Tc）的最大功率耗散能力，展现了出色的功率密度和热性能。

该MOSFET的接口参数设计兼顾了易用性与性能。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，标准逻辑电平驱动即可使其充分导通，而4.5V至10V的推荐驱动电压范围使其兼容绝大多数控制器。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取相关技术资料与采购信息。

基于其性能组合，AON6248非常适用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器，如同步整流、负载点（POL）转换和电机驱动中的桥式电路。它也常见于电动工具、无人机电调、服务器电源以及各类工业电源管理模块中，作为主开关或同步整流元件，有效降低系统能耗并提升功率密度。其紧凑的DFN封装也满足了现代电子产品对空间日益严格的要求。

• 制造商产品型号：AON6248
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 17.5A/53A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17.5A（Ta），53A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1543pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.4W（Ta），69.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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