AON6266_101技术参数

AON6266_101是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为需要高功率密度和高效率的开关应用而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，从而在电源转换和电机控制等系统中有效降低传导损耗和开关损耗。

该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达30A的连续漏极电流能力，展现出稳健的功率处理性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为15毫欧，这直接转化为更低的导通压降和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，且栅极电荷（Qg）最大值控制在15nC（@4.5V），结合1340pF的输入电容（Ciss），确保了器件能够被快速驱动，有利于实现高频率的开关操作，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与电气参数方面，AON6266_101支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极耐压余量。其推荐工作驱动电压范围为4.5V至10V，在此范围内能确保导通电阻最小化。器件最大功耗为38W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方指定的AOS代理商获取相关技术资料与采购信息。

凭借其优异的电气特性，该MOSFET非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及各类负载开关等场景。其高电流能力与低Rds(On)特性使其成为同步整流和主开关拓扑中的理想选择，有助于提升电源模块的功率密度和整体能效。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类高密度功率解决方案提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AON6266_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1340pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：38W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6266_101现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。