AON7436技术参数

AON7436是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性平衡。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，在有限的占板面积内提供了卓越的热性能和电气性能，其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V驱动电压、9A漏极电流条件下，最大值仅为19毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC @ 10V，结合630pF的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，开关速度更快，特别适合高频开关应用。其阈值电压Vgs(th)最大值为1.1V，且兼容低至1.8V的逻辑电平驱动，为现代低电压数字控制电路提供了便利的接口。

在电气参数方面，AON7436的漏源击穿电压（Vdss）为20V，能够安全地应用于常见的12V总线系统。其电流承载能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为9A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达23A，这凸显了其封装和芯片设计对热管理的优化。最大功率耗散在Tc条件下可达16.7W。用户可以通过正规的AOS代理获取完整的技术资料、样品支持以及供货信息，以进行深入的评估与设计。

凭借20V的耐压、高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，这款器件非常适合作为负载开关或同步整流器，广泛应用于计算设备（如笔记本、主板）的DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动控制以及各类便携式电子设备的功率路径管理电路中。其设计旨在满足高功率密度和高效率的应用需求。

• 制造商产品型号：AON7436
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 9A/23A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），23A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：630pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），16.7W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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