AON6268技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON6268 是一款采用先进 AlphaSGT 技术平台的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用紧凑的 8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在高功率密度应用中实现高效率与高可靠性而设计。其核心架构基于优化的超级结技术，通过精细的单元设计和工艺控制，在降低导通电阻的同时，显著优化了开关特性与电荷相关参数，为电源转换和电机驱动提供了优异的性能基础。

在电气性能方面，AON6268 具备 60V 的漏源击穿电压（Vdss）和高达 44A（Tc）的连续漏极电流能力，展现出强大的功率处理潜力。其最突出的特性之一是在 10V 驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至 4.7 毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件拥有较低的栅极电荷（Qg，最大值 65nC @10V）和输入电容（Ciss），这有助于减少开关过程中的能量损失，提升开关频率，从而允许使用更小的外围磁性元件。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.3V，与标准逻辑电平驱动兼容性好，而±20V的栅源电压最大值则提供了稳健的驱动安全裕度。

该 MOSFET 的接口形式为标准的三端子器件，其热性能参数同样出色，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为 56W。宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理商 获取完整的技术资料、样品以及批量采购支持。

基于其优异的电气与热特性，AON6268 非常适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。它常被用作同步整流拓扑中的低压侧开关，或作为 DC-DC 转换器（如降压、升压转换器）的主开关管。此外，在电机驱动、电池保护电路以及各类工业电源模块中，它都能有效降低系统损耗，提升整体性能与可靠性，是工程师实现高性能电源设计的优选功率器件之一。

• 制造商产品型号：AON6268
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：44A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：65nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2520pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：56W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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