AON6278技术参数

AON6278是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在提供卓越电气性能的同时，优化了功率密度和散热能力，其设计旨在满足现代高效率、高可靠性功率转换系统的严苛要求。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在Vgs=10V、Id=20A的条件下，其Rds(on)典型值仅为3.3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷Qg（最大值86nC @ 10V）与输入电容Ciss（最大值4646pF @ 40V）经过精心优化，实现了开关速度与开关损耗之间的良好平衡，有助于降低高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰（EMI）。

在电气参数方面，AON6278拥有80V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量以应对线路浪涌。其连续漏极电流能力在环境温度（Ta）25°C下为34A，在壳温（Tc）25°C下高达85A，展现出强大的电流处理能力。栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，并兼容低至6V的驱动，最大栅源电压可承受±20V，增强了应用的灵活性。器件的功率耗散能力在壳温条件下可达208W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），确保了其在恶劣环境下的稳定运行与长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方指定的AOS中国代理获取产品、技术资料及设计支持。

凭借其高耐压、大电流、低损耗和优异的散热特性，AON6278非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括服务器及通信设备的DC-DC电源模块、电动工具及无人机的电机驱动控制器、大功率LED照明驱动以及各类工业电源中的同步整流和功率开关电路。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的便携式设备或高密度电源板的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6278
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：34A（Ta）、 85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：86nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4646pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.4W（Ta），208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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