AON6280技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)推出的AON6280是一款采用先进沟槽MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的开关性能之间的平衡。通过优化的单元结构和先进的工艺制程，它在提供高达80V漏源电压（Vdss）耐受能力的同时，显著降低了传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

在电气特性方面，AON6280展现出卓越的性能指标。其最大导通电阻在10V驱动电压（Vgs）、20A漏极电流（Id）条件下仅为4.1毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的功率耗散和更高的电流处理能力。该器件在25°C环境温度下可支持17A的连续漏极电流，而在管壳温度条件下，其电流承载能力可高达85A。其栅极电荷（Qg）最大值仅为82nC @ 10V，结合3930pF @ 40V的输入电容（Ciss），意味着它需要更小的驱动能量，能够实现快速开关，从而适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.2V，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。

该MOSFET的接口参数设计充分考虑了实际应用的便捷性与可靠性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境。在热管理方面，器件在环境温度下的最大功率耗散为7.3W，而在管壳温度条件下可高达83W，这要求在实际布局中配合适当的散热设计以充分发挥其性能潜力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取完整的技术资料、样品及批量供应支持。

凭借其高电压、大电流、低损耗和快速开关的特性，AON6280非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和开关管、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类工业电源和服务器电源模块。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的便携式设备或高密度电源板的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6280
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：82nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3930pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6280现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。