AOTF14N50技术参数

AOTF14N50是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用TO-220-3F封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其内部结构经过优化，提供了稳健的雪崩耐量和可靠的体二极管特性，确保了在严苛开关环境下的长期工作稳定性。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），能够有效应对工业级应用中的电压应力与浪涌冲击。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，当漏极电流为7A时，最大值仅为380毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在51nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求。

在电气参数上，AOTF14N50在壳温（Tc）条件下可支持高达14A的连续漏极电流，最大功耗为50W。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽至±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的阈值电压（Vgs(th)）设计合理，最大值在250A漏极电流下为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力，防止误触发。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于宽温环境下的各类应用。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取此产品及相关服务。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款MOSFET非常适合于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器中的高压侧开关、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及工业照明（如HID灯电子镇流器）等应用场景。其通孔TO-220-3F封装便于安装散热器，满足中高功率密度设计的散热需求。

• 制造商产品型号：AOTF14N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 14A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：51nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2297pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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