AON6298技术参数

AON6298 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的平面 MOSFET 技术制造，封装于紧凑的 8-DFN（5x6）表面贴装型封装内。该器件专为在有限空间内要求高效率和高功率密度的应用而设计，其核心架构优化了导通电阻、栅极电荷和开关性能之间的平衡，从而在开关电源转换和电机控制等高频应用中实现更低的导通损耗和开关损耗。

该 MOSFET 的突出特性在于其优异的电气参数组合。100V 的漏源电压（Vdss）额定值使其适用于常见的 48V 或更低电压总线系统，提供充足的电压裕量以确保系统可靠性。其导通电阻（Rds(On)）在 Vgs=10V、Id=20A 条件下最大值仅为 16.5 毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为 23nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更低，有助于简化栅极驱动设计并提升开关频率，减少开关过程中的损耗。

在接口与热性能方面，AON6298 提供了灵活的驱动兼容性，其栅源电压（Vgs）最大额定值为 ±20V，而典型的阈值电压（Vgs(th)）最大为 3.4V，确保其能与广泛的逻辑电平或标准栅极驱动器兼容。器件在壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）高达 46A，峰值电流处理能力强劲，而环境温度（Ta）下的额定电流为 14.5A，最大功率耗散在 Tc 条件下可达 78W，展现了其出色的散热潜力。其工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS总代理 获取该产品及相关设计资源。

基于上述技术特点，AON6298 非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：服务器、电信和网络设备的 DC-DC 转换器（如同步整流、OR-ing 功能）、工业电源、电机驱动控制器（如电动工具、无人机电调）、以及各类便携式设备中的负载开关和电池保护电路。其紧凑的 DFN 封装尤其有利于空间受限的现代电子设备实现高性能的功率管理解决方案。

• 型号:AON6298
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 14.5A/46A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1307 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.4W（Ta），78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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