AON6418技术参数

AON6418是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的SDMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率功率转换而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（Rds(On)）与栅极电荷（Qg）的优异平衡，这是衡量MOSFET开关性能与损耗的关键指标。

在电气特性方面，AON6418展现出卓越的性能。其导通电阻在10V驱动电压（Vgs）、20A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）在10V Vgs下仅为33nC，配合1.8V（最大值）的低阈值电压（Vgs(th)），意味着该器件具备快速的开关速度和较低的驱动功率需求，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关损耗。该器件在25°C环境温度（Ta）下可支持14A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，其电流承载能力可高达36A，最大功率耗散为25W（Tc），展现了强大的电流处理与散热潜力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠运行。

AON6418的接口设计简洁高效，标准的MOSFET三引脚功能使其易于集成。其栅极可承受高达±20V的电压，提供了良好的抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取详细信息。得益于其低导通电阻、快速开关特性和紧凑的封装，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景，例如服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换器、电机驱动控制电路、锂电池保护模块以及各类便携式设备的电源管理单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类应用提供了有价值的参考。

• 型号:AON6418
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14A/36A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1229 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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