AON6360技术参数

作为一款高性能N沟道功率MOSFET，AON6360采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件基于优化的单元结构，能够在紧凑的封装内提供高电流处理能力，其30V的漏源电压（Vdss）额定值使其非常适用于中低压、高电流的开关应用场景。

该芯片的关键特性在于其卓越的低导通电阻表现，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在24nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现快速、高效的功率切换。

在电气参数方面，AON6360提供了灵活的电流承载能力，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为36A，而在管壳温度（Tc）下则可高达85A，这使其能够应对严苛的负载条件。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，并支持高达±20V的栅源电压，确保了与多种逻辑电平及驱动电路的兼容性。器件采用表面贴装型的8-DFN（5x6）封装，具有优异的热性能，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达42W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在宽温环境下的可靠运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以联系AOS总代理获取更详细的信息。

凭借其高电流密度、低损耗和坚固的封装，AON6360非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。其主要应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换、电动工具及无人机的电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类高效的电源管理模块。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少热量产生，并有助于实现更紧凑的终端产品设计。

• 制造商产品型号：AON6360
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1590pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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