AON6382技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN-EP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
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AON6382技术参数详情说明：
AON6382是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装，实现了表面贴装，为高密度PCB设计提供了优秀的解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），从而在开关应用中实现高效率与低损耗的平衡。
该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和高达85A的连续漏极电流（ID）能力，展现出强大的功率处理性能。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压（VGS）和20A漏极电流条件下，RDS(on)最大值仅为1.85毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更优的热管理。同时，其栅极阈值电压（VGS(th)）典型值较低，且最大栅极电荷（Qg）控制在65nC（@10V），这使得它能够被快速驱动，减少开关过程中的交叠损耗，非常适合高频开关应用。
在电气接口与参数方面，AON6382的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，并且栅极可承受±20V的电压，提供了良好的设计余量和可靠性。其输入电容（Ciss）为3100pF（@15V），结合低Qg特性，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗为50W（TC），确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品。
基于其高性能参数，AON6382非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的场景。它常见于同步整流、电机驱动、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）以及各类电源管理模块中。其高电流能力和低导通电阻特性，使其成为服务器、电信设备、工业电源以及电动工具等产品中功率开关部分的理想选择，能够有效提升系统整体能效和功率密度。
- 制造商产品型号：AON6382
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：85A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.85 毫欧 @ 20A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：65nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3100pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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