AON6382技术参数

AON6382是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装，实现了表面贴装，为高密度PCB设计提供了优秀的解决方案。其核心架构基于优化的单元设计，旨在最大限度地降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），从而在开关应用中实现高效率与低损耗的平衡。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达85A的连续漏极电流（I_D）能力，展现出强大的功率处理性能。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压（V_GS）和20A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为1.85毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更优的热管理。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，且最大栅极电荷（Q_g）控制在65nC（@10V），这使得它能够被快速驱动，减少开关过程中的交叠损耗，非常适合高频开关应用。

在电气接口与参数方面，AON6382的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，并且栅极可承受±20V的电压，提供了良好的设计余量和可靠性。其输入电容（C_iss）为3100pF（@15V），结合低Qg特性，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗为50W（T_C），确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品。

基于其高性能参数，AON6382非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的场景。它常见于同步整流、电机驱动、DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）以及各类电源管理模块中。其高电流能力和低导通电阻特性，使其成为服务器、电信设备、工业电源以及电动工具等产品中功率开关部分的理想选择，能够有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:AON6382
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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