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AOW2918技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-262
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
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AOW2918技术参数详情说明:

AOW2918是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-262通孔封装,专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。该器件基于成熟的平面MOSFET技术,其核心优势在于在100V的漏源电压(Vdss)额定值下,实现了极低的导通电阻(Rds(On))。在10V驱动电压(Vgs)和20A漏极电流条件下,其导通电阻典型值仅为7毫欧,这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。

在电气性能方面,AOW2918展现出卓越的电流处理能力。在壳温(Tc)条件下,其连续漏极电流(Id)高达90A,而在环境温度(Ta)下也支持13A的连续工作电流,这使其能够应对高浪涌电流场景。其栅极电荷(Qg)最大值控制在53nC @ 10V,结合3430pF @ 50V的输入电容(Ciss),意味着该器件具有较快的开关速度和较低的驱动损耗,有利于提升开关电源的开关频率并简化栅极驱动电路设计。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)和高达267W(Tc)的功率耗散能力,确保了其在严苛环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过AOS中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

该器件采用标准的TO-262(I2PAK)三引脚封装,提供通孔安装方式,具有良好的机械强度和散热性能,便于在功率PCB板上进行布局和焊接。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±20V,提供了足够的驱动安全裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为3.9V @ 250A,属于标准逻辑电平兼容范围,可直接由多数微控制器或专用驱动IC进行驱动,简化了系统设计。

凭借其高耐压、低导通电阻、强电流能力和快速的开关特性,AOW2918非常适用于需要高效功率转换和管理的场合。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器中的负载开关,以及不间断电源(UPS)和逆变器系统中的功率开关单元。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计所体现的性能参数和可靠性理念,仍为同类功率器件的选型提供了有价值的参考基准。

  • 制造商产品型号:AOW2918
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):13A(Ta),90A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):53nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3430pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),267W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-262
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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