AOW2918技术参数

AOW2918是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装，专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计。该器件基于成熟的平面MOSFET技术，其核心优势在于在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（Rds(On)）。在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为7毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。

在电气性能方面，AOW2918展现出卓越的电流处理能力。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达90A，而在环境温度（Ta）下也支持13A的连续工作电流，这使其能够应对高浪涌电流场景。其栅极电荷（Qg）最大值控制在53nC @ 10V，结合3430pF @ 50V的输入电容（Ciss），意味着该器件具有较快的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关电源的开关频率并简化栅极驱动电路设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和高达267W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

该器件采用标准的TO-262（I2PAK）三引脚封装，提供通孔安装方式，具有良好的机械强度和散热性能，便于在功率PCB板上进行布局和焊接。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为3.9V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容范围，可直接由多数微控制器或专用驱动IC进行驱动，简化了系统设计。

凭借其高耐压、低导通电阻、强电流能力和快速的开关特性，AOW2918非常适用于需要高效功率转换和管理的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器中的负载开关，以及不间断电源（UPS）和逆变器系统中的功率开关单元。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的性能参数和可靠性理念，仍为同类功率器件的选型提供了有价值的参考基准。

• 型号:AOW2918
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3430 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），267W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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