AON6404A_001技术参数

在功率半导体领域，AON6404A_001是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率转换与开关控制。其封装形式为紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装型，这种设计优化了热性能和PCB布局空间，使其在有限面积内能处理可观的功率。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通性能与稳健的电气规格。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，适用于中低压应用场景。在导通电阻方面，器件在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(On)）仅为2.3毫欧，这一低阻值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V时为40nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，提升高频开关性能，这对于开关电源和电机驱动等应用至关重要。

在接口与关键参数上，AON6404A_001提供了宽泛的工作条件与可靠的保护边界。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为25A，而在管壳温度（Tc）条件下可达85A，展现了强大的电流处理能力。栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，增强了驱动的鲁棒性。器件的功率耗散能力在管壳温度（Tc）条件下高达83W，结合其工作结温范围（-55°C ~ 150°C），确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取相关技术资料与采购信息。

基于上述技术特点，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。其典型的应用场景包括但不限于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类负载开关。其优异的导通与开关特性使其能够在这些应用中有效减少能量损失，提升整体系统性能，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类产品提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AON6404A_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 25A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5210pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6404A_001现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。