AOD484技术参数

AOD484是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗之间的平衡。其内部架构优化了单元密度与沟道电阻，使得在紧凑的封装尺寸内能够稳定承载高达25A的连续漏极电流（Tc条件下），同时维持较低的结到外壳热阻，为高效散热提供了基础。

该MOSFET的显著特性在于其优异的开关性能与导通特性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至15毫欧（于20A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，并与4.5V至10V的标准驱动电压范围良好兼容，确保了在逻辑电平或标准PWM控制器驱动下的可靠开启。此外，最大栅极电荷（Qg）仅为21nC（@10V），结合1220pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，AOD484的漏源击穿电压（Vdss）为30V，为其在低压功率转换领域提供了充足的安全裕量。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了抗栅极噪声干扰的能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，并标定了在环境温度（Ta）下2.1W和壳温（Tc）下50W的功率耗散能力，体现了其稳健的鲁棒性设计。用户可通过正规的AOS代理商获取完整的技术支持与供货信息。

综合其技术规格，AOD484非常适合应用于需要高效率、高电流密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类低压大电流的电源管理模块。其TO-252封装兼顾了功率处理能力与PCB占板面积，是空间受限且对热性能有要求的现代电子设备的理想选择之一。

• 制造商产品型号：AOD484
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 25A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1220pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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