AON6416技术参数

AON6416是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的SDMOS工艺平台制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达14A（环境温度Ta）或22A（外壳温度Tc）的连续漏极电流。其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡，在10V驱动电压（Vgs）和20A测试条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体能效。

在电气特性方面，该MOSFET的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。其栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大仅为28nC，结合1430pF（@15V）的输入电容（Ciss），共同构成了优异的开关性能，有助于减少开关过程中的损耗并允许更高频率的操作，这对于提升电源转换器和电机驱动电路的动态响应至关重要。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动安全裕量，其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。

得益于其低Rds(On)和高电流处理能力，AON6416非常适合应用于对功率密度和效率有较高要求的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制电路、以及各类电池管理系统的功率路径控制。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方AOS授权代理进行采购，以获取原厂技术支持与品质保证。需要注意的是，根据制造商信息，此产品系列目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品。

• 型号:AON6416
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 14A/22A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1430 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6416现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。