AON6500_001技术参数

AON6500_001是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而设计，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。

该器件在25°C环境温度（Ta）下可提供高达71A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，其连续漏极电流能力更是达到200A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，最大值仅为0.95毫欧，这一极低的导通电阻是降低传导损耗、提升系统整体效率的关键。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为145nC，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求，使得开关频率可以设计得更高。

在电气参数方面，AON6500_001的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，而栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。其输入电容（Ciss）在15V漏源电压下最大值为7036pF。该器件支持-55°C至150°C的结温（TJ）工作范围，最大功率耗散在环境温度下为7.3W，在管壳温度下可达83W，具备良好的热性能。如需获取更详细的技术支持或采购信息，可以联系AOS中国代理。

凭借其高电流能力、超低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。例如，在服务器和通信设备的同步整流DC-DC转换器中，它可以有效降低功率损耗；在电动工具、无人机电机驱动等大电流有刷或无刷直流电机控制电路中，它能提供高效的功率开关解决方案；此外，它也适用于各类负载开关、电池保护电路以及需要高效功率管理的便携式设备中。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍代表了该功率等级MOSFET的先进水平，为后续产品开发和选型提供了重要参考。

• 制造商产品型号：AON6500_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 71A/200A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：71A（Ta），200A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.95 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：145nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7036pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6500_001现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。