AON6504_002技术参数

AON6504_002是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，集成于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装内，旨在为高功率密度应用提供卓越的电气性能和热管理能力。其核心设计平衡了导通损耗、开关速度与可靠性，是要求高效率与小型化设计的理想选择。

该器件具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，在25°C环境温度下可提供高达51A的连续漏极电流（Ta），而在管壳温度条件下，这一数值更可提升至85A（Tc），展现出强大的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为2.1毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC @ 10V，有助于降低开关损耗，提升高频开关性能。

在接口与控制方面，AON6504_002的标准驱动电压范围为4.5V至10V，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了宽裕且稳健的驱动设计窗口。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.1V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。器件的热性能参数同样突出，最大结温（TJ）可达150°C，在管壳温度（Tc）条件下的最大功率耗散为83W，结合低热阻的DFN封装，能够有效散发热量，保证在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方指定的AOS中国代理获取相关技术资料与采购信息。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关特性，AON6504_002非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的同步整流与DC-DC转换器、电动工具及无人机的电机驱动控制、笔记本电脑和高端显卡的负载点（POL）电源模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类高密度电源解决方案提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AON6504_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 51A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：51A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2719pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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