AON6270技术参数

AON6270是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而优化。其核心架构基于AOS成熟的工艺平台，旨在实现极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡，从而在75V的漏源电压（Vdss）额定值下，提供强大的电流处理能力。

该MOSFET的关键性能体现在其电气参数上。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值为31.5A，而在管壳温度（Tc）条件下，该值可高达85A，展现了其出色的热性能承载潜力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为3.9毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V Vgs时为85nC，结合4100pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与工作条件方面，AON6270的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最小开启电压（Vgs(th)）最大值为3.2V，而最大栅源电压可承受±20V，提供了稳定的驱动兼容性和可靠性。其工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散在Tc条件下可达83W，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。对于需要本地技术支持和供货保障的设计团队，可以通过AOS中国代理获取详细的技术资料和供应链服务。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类开关电源的同步整流和功率开关部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的性能指标，对于理解同类高性能功率MOSFET的选型与设计仍具有重要的参考价值。

• 型号:AON6270
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 31.5A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31.5A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 37.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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