AON6522_002技术参数

AON6522_002是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为高功率密度和高效率应用而优化。其核心架构基于深沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻和出色的开关性能，从而在电源转换和电机驱动等场景中显著降低传导损耗和开关损耗。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为25V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达71A（Ta），而在管壳温度为25°C时，该值更可达到200A（Tc），展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）极低，在Vgs=10V、Id=20A的条件下，最大值仅为0.95毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。栅极驱动方面，其阈值电压Vgs(th)最大为2V @ 250A，标准驱动电压为4.5V至10V，兼容常见的逻辑电平驱动，同时栅极最大耐受电压为±20V，提供了良好的鲁棒性。

在动态参数上，在Vgs=10V时，其总栅极电荷（Qg）最大值为145nC，结合7036pF @ 15V的最大输入电容（Ciss），意味着其开关速度较快，有助于降低高频应用中的开关损耗。其最大功率耗散能力在环境温度下为7.3W（Ta），在管壳温度下高达83W（Tc），配合-55°C至150°C（TJ）的宽工作结温范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，建议通过官方授权的AOS一级代理进行采购咨询。

综合其高电流能力、超低导通电阻、快速开关特性以及紧凑的封装，AON6522_002非常适合于对效率和空间有严苛要求的应用。其主要应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动与控制模块（如无人机、电动工具）、锂电池保护电路以及各类高密度电源模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类高功率密度MOSFET解决方案提供了重要参考。

• 制造商产品型号：AON6522_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 25V 71A/200A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：25V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：71A（Ta），200A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.95 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：145nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7036pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6522_002现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。