AON7401技术参数

AON7401是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，并封装在紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装内。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。其P沟道特性使其在需要高侧开关或简化驱动逻辑的电路中具有天然优势，因为其栅极驱动电压可以方便地以地为参考。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的导通特性上。在10V栅源电压（Vgs）驱动下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至14毫欧（在9A电流条件下测量），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为39nC @ 10V，结合±25V的最大栅源电压耐受能力，意味着它能够实现快速的开关切换，同时为栅极驱动电路的设计提供了充足的裕量，有助于降低开关损耗并简化驱动IC的选型。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定为12A，而在管壳温度（Tc）下可高达35A，展现了其强大的电流承载潜力，功率耗散能力在管壳温度下可达29W，确保了在高功率密度应用中的可靠性。

在电气参数方面，AON7401的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与标准逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，通常无需额外的电平转换电路。输入电容（Ciss）最大值为2600pF @ 15V，这一参数与低栅极电荷共同决定了器件的开关速度。其宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应严苛的工业与汽车环境。对于需要获取详细技术资料或进行批量采购的工程师，可以联系AOS中国代理以获取进一步支持。

凭借其综合性能，该器件非常适合用于需要高效电源管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的高侧开关、电池保护电路、电机驱动中的预驱动开关，以及负载开关和电源路径管理。其紧凑的DFN封装非常适合空间受限的便携式设备、计算主板和分布式电源系统。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类P沟道MOSFET的选型提供了有价值的参考基准。

• 制造商产品型号：AON7401
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 12A/35A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：39nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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