AON6526技术参数

AON6526是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，封装于紧凑的8-DFN（5mm x 6mm）表面贴装外形中。该器件基于优化的单元结构和沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，其核心设计聚焦于在高频开关应用中提升能效并减少功率损耗。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为7毫欧。这一低阻值直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC @ 10V，结合1229pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着器件具备快速的开关速度，能够有效降低开关过程中的能量损失，尤其适用于高频PWM控制场景。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，并与4.5V/10V的驱动电压范围相配合，确保了与主流低压逻辑电平控制器（如3.3V或5V MCU）的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，AON6526的额定漏源电压（Vdss）为30V，提供了足够的电压裕量。其连续漏极电流能力在环境温度（Ta）25°C下为24A，在管壳温度（Tc）25°C下可达32A，展现了强大的电流处理能力。器件支持±20V的最大栅源电压，增强了栅极驱动的鲁棒性。其功率耗散能力在环境温度下为6W，在管壳温度下可达25W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整供应链服务的重要途径。

凭借30V的耐压、高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合应用于对空间和效率有严格要求的现代电源管理系统。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流和负载点（POL）转换器、笔记本电脑的电池保护与电源路径管理，以及各类电机驱动、LED照明驱动中的功率开关环节。其DFN封装具有良好的热性能，有助于在紧凑的PCB布局中实现有效的热量管理。

• 型号:AON6526
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 24A/32A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1229 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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