AON6528技术参数

AON6528是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术，并封装于紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装中，其设计旨在实现极低的导通损耗与优异的开关性能。其核心架构优化了单元密度与沟道迁移率，在保证30V漏源电压（Vdss）额定值的同时，显著降低了导通电阻（Rds(On)）。

在电气特性方面，该器件在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，导通电阻典型值低至6.3毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC @ 10V，结合1037pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量更小，有助于实现高速开关并降低驱动电路的损耗。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.2V，且支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。

该MOSFET的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为30A，最大功率耗散为25W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。其稳健的电气参数使其非常适合用于需要高电流处理能力与高效能转换的场合。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取相关技术资料与供货信息。

基于其参数组合，AON6528的理想应用场景包括但不限于同步整流、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器中的高频开关元件。尤其是在空间受限的便携式设备、计算主板或服务器电源中，其DFN封装的小尺寸与低热阻特性，结合优异的电气性能，能够有效提升功率密度与整体解决方案的可靠性。

• 制造商产品型号：AON6528
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1037pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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