AON7702技术参数

AON7702是一款采用先进SRFET技术平台开发的N沟道功率MOSFET，采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其结构集成了高效的体肖特基二极管，为感性负载开关应用中的反向恢复提供了优化路径，有助于提升系统整体效率与可靠性。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至10毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗，尤其在连续大电流工作条件下优势明显。其栅极电荷（Qg）最大值仅为48nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度与更低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准逻辑电平（4.5V）即可实现良好导通，同时栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了坚固的驱动保护。

在电气参数方面，AON7702的漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达36A，而在环境温度（Ta）下为13.5A，展现了强大的功率输出潜力。最大功率耗散在壳温条件下为23W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理商获取相关技术资料与库存信息。

凭借其高性能与高可靠性，该器件主要面向空间受限且对效率要求严苛的现代电源管理系统。其典型应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流、负载开关、电机驱动控制以及各类便携式设备、服务器和通信基础设施的电源模块。其DFN封装具有优异的热性能，便于将热量高效传导至PCB，是实现高功率密度设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7702
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：48nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4250pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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