AON6572技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AON6572采用了先进的沟槽栅技术，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性。该器件在紧凑的8-DFN封装内集成了优化的单元结构，有效降低了栅极电荷和寄生电容，从而在提升功率密度的同时，显著改善了开关效率和热性能，为高功率密度应用提供了理想的解决方案。

该芯片的功能特点十分突出，其极低的导通电阻（Rds(on)）是关键优势之一，在10V驱动电压、20A电流条件下，最大值仅为3.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为65nC，配合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），使得器件开关迅速，驱动损耗小，特别适合高频开关应用。其稳健的电气规格，包括30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达85℃（Tc）的连续漏极电流能力，确保了在严苛工况下的可靠运行。

在接口与参数方面，AON6572提供了宽泛的工作电压范围，栅源电压（Vgs）最大可承受±12V，增强了设计的灵活性。其热设计参数同样出色，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达48W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了出色的热管理和环境适应性。该器件采用表面贴装型8-DFN（5x6）封装，具有优异的热性能和小尺寸占位面积，便于在空间受限的PCB布局中实现高功率输出。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取产品与相关服务。

凭借其高性能指标，AON6572非常适合多种高效率、高功率密度的应用场景。它广泛应用于同步整流、DC-DC转换器（尤其是负载点降压转换器）、电机驱动控制以及各类电源管理模块中。无论是服务器、通信基础设施的电源单元，还是电动工具、无人机等便携式设备的电池管理系统，该器件都能有效提升能效，减少热量产生，并帮助实现更紧凑、更可靠的终端产品设计。

• 制造商产品型号：AON6572
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：65nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3290pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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