AON6590_001技术参数

AON6590_001是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，构建于优化的垂直架构之上，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心设计平衡了导通电阻、栅极电荷和体二极管特性，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的低导通电阻与高电流处理能力的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至0.99毫欧（@20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件在25°C壳温（Tc）下可支持高达100A的连续漏极电流，峰值电流能力突出，使其能够胜任大电流负载的开关任务。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，与标准逻辑电平驱动兼容，而栅极电荷（Qg）在10V下最大为100nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，AON6590_001的漏源击穿电压（Vdss）为40V，适用于常见的12V、24V及以下的母线电压系统。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。器件采用热增强型表面贴装封装8-DFN-EP（5x6），裸露的焊盘（EP）设计极大地改善了热传导性能，使得在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散可达208W，确保了在高功率密度应用中的可靠散热。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取相关服务与资源。

凭借其综合性能，这款MOSFET非常适合用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率开关、电动工具和无人机的电机驱动控制器、大电流负载开关以及各类工业电源模块。其优异的电气和热性能使其成为工程师在设计紧凑型、高效率功率系统时的一个可靠选择。

• 制造商产品型号：AON6590_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：67A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8320pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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