AON6756技术参数

作为AlphaMOS系列中的一员，AON6756是一款采用先进的沟槽MOSFET技术制造的N沟道功率器件。其核心架构旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，通过优化的单元设计和先进的封装工艺，在紧凑的8-DFN（5x6）封装内集成了高电流处理能力。该器件采用表面贴装形式，便于自动化生产并节省宝贵的电路板空间。

在电气特性方面，极低的导通电阻（Rds(On)）是其突出优势，在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为2.4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在64nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。该MOSFET集成了体二极管，具备肖特基二极管的特性，有助于在续流或反向恢复过程中改善性能。

该器件设计用于30V的漏源电压（Vdss）环境，在25°C环境温度下可连续通过高达47A的漏极电流，而在管壳温度为25°C时，电流能力为36A，展现了强大的功率处理能力。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的栅极电压下即可实现良好的导通特性，兼容多种逻辑电平，而最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了较高的设计裕度和可靠性。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，适合在苛刻的环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取相关技术支持和产品信息。

凭借其高电流密度、低导通电阻和快速开关特性，AON6756非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机驱动控制电路以及各类便携式电子设备中的电源管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解同类高性能MOSFET的选型与应用仍具有重要的参考价值。

• 制造商产品型号：AON6756
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 47A/36A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：47A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：64nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2796pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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