AON6796技术参数

AON6796是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SRFET产品系列。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心基于优化的沟槽栅MOSFET技术，通过精密的半导体工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的开关特性平衡，为电源管理应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能。它具备30V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C环境温度（Ta）下可提供高达32A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下，这一数值更能达到70A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）、20A测试电流下典型值仅为3.9毫欧，这一极低的阻抗显著降低了导通状态下的功率损耗，直接提升了系统的整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为23nC @ 10V，结合1350pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并降低驱动电路的负担，尤其适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AON6796的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，最大可承受±12V的栅源电压，为设计提供了灵活性。其阈值电压Vgs(th)最大值为1.9V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力和可靠的导通控制。器件的热性能同样可靠，在环境温度下最大功耗为6.2W，而在管壳温度下可达31W，结合-55°C至150°C（TJ）的宽工作结温范围，使其能够在严苛的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过AOS授权代理获取该产品及相关技术支持。

凭借上述特性，AON6796非常适用于对效率和功率密度有苛刻要求的现代电子系统。其典型应用场景包括服务器、通信设备的同步整流和DC-DC转换器中的负载开关，特别是那些采用12V或更低输入电压总线、输出电流要求较高的降压（Buck）转换器拓扑。此外，它在电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式设备的电源管理模块中也能发挥关键作用，是实现紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6796
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 32A/70A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：32A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6796现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。