AON6758技术参数

AON6758是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效散热而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道迁移率，旨在显著降低导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中实现更低的传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。

该MOSFET具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，提供了稳健的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为3.6毫欧，这一极低的Rds(On)特性是降低功率损耗的关键。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更低，有助于简化栅极驱动设计并提高开关频率，适用于高频应用场景。

在电气参数方面，AON6758在25°C环境温度（Ta）下的连续漏极电流（Id）额定值为27A，而在管壳温度（Tc）条件下可达32A，展现了其强大的电流处理能力。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，具备良好的噪声抑制能力。器件集成了体二极管（肖特基二极管功能），为感性负载提供了续流路径。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要本地技术支持和稳定供货的客户，可以联系AOS中国代理获取更详细的产品信息与供应链支持。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高电流能力的组合，AON6758非常适合用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等应用。尤其是在同步整流、电源模块和服务器电源等对效率和热管理要求极高的领域，其性能优势尤为突出。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和参数特性仍代表了其在所属产品周期内的高性能标准。

• 制造商产品型号：AON6758
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1975pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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